LDMOSFET

作品数：23被引量：21H指数：3
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Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性
《半导体技术》2023年第12期1071-1076,共6页阳治雄 曾荣周 吴振珲 廖淋圆 李中启 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3403200);湖南省自然科学基金资助项目(2022JJ30226)。
Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K...
关键词：超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET) Si/SiC异质结 击穿 短路 温度稳定性 
4H-SiC LDMOSFET沟道迁移率影响因素的研究
《电力电子技术》2022年第3期136-140,共5页高秀秀 邱乐山 戴小平 李诚瞻 
长株潭国家自主创新示范区专项(2018XK2202)。
为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 界面态密度 沟道迁移率 
论场效应管放大电路的原理和特点
《辽宁广播电视技术》2019年第3期45-46,共2页张春鹏 
本文对全固态发射机中场效应管放大器的组成、工作原理和特点进行了详细分析,目前全固态发射机功率放大器使用的都是场效应管。
关键词：场效应管 MOSFET LDMOSFET 推挽放大器 
P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制被引量：2
《电子元件与材料》2017年第6期75-79,共5页张晓帆 徐守利 郎秀兰 李晓东 
基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50 V,在工作脉宽1 ms、占空比10%的工作条件下,在380~480 MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200 W,功率增益大于18 d B,漏极效...
关键词：P波段 脉冲功率 LDMOSFET 巴伦 推挽 内匹配 
TB02-103 10kW调频发射机的原理解析被引量：2
《科技视界》2016年第8期76-76,72,共2页廖光源 
TB02-103 10kW调频发射机,电路设计汇集世界上最新的技术,功率放大器采用了最新的大功率效应管(LDMOSFET),使发射机具有高增益、高效率、高可靠性、高输出失配等优良的性能和良好的技术指标。
关键词：发射机 LDMOSFET 高增益 高效率 高可靠 
Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善
《智能电网（汉斯）》2015年第6期300-307,共8页裴紫微 陈晨 杨霏 许恒宇 张静 万彩萍 刘金彪 李俊峰 金智 刘新宇 
碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止,依旧存在着限制SiC LDMOS...
关键词：4H-SIC 传输线方法 欧姆接触 
50～75MHz550W脉冲功率LDMOSFET器件研制被引量：7
《半导体技术》2014年第5期365-369,共5页邓建国 张晓帆 刘英坤 胡顺欣 孙艳玲 郎秀兰 
介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）器件的设计原理，分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素。报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通，采用TiSi，／多晶硅复合栅结构降低栅...
关键词：LDMOSFET 硅 甚高频(VHF) 长脉冲 大功率 
两层金属场极板高压LDMOS的优化设计
《微纳电子技术》2011年第2期87-91,共5页张永红 黄瑞 
上海第二工业大学校基金项目(QD209012)
采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD)。对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参...
关键词：LDMOSFET 金属场极板 多晶硅场极板 击穿电压 比导通电阻 
LDMOSFET电热耦合解析模型
《固体电子学研究与进展》2010年第3期370-376,424,共8页孙晓红 戴文华 严唯敏 陈强 高怀 
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 解析模型 晶体管模型 封装模型 热模型 
厚栅n—和n—LDMOSFET高压输出电路被引量：1
《微计算机信息》2008年第26期301-302,共2页黄义定 王卓 于宗光 李鉴 
江苏省自然科学基金(BK2007026)系统集成芯片(SOC)中IP模块的设计与验证方法研究;南阳师范学院高层次人才科研启动费资助
对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(later-al double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路。同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP...
关键词：n—LDMOSFET PDP 高压输出电路 驱动能力 下降时间厚栅 
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