云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 晶体管模型

晶体管模型: 作品数：22被引量：19H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘军李胜刘川王胜国李小健更多>>; 相关机构：杭州电子科技大学东南大学清华大学恩益禧电子股份有限公司更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《电子技术（上海）》《Journal of Semiconductors》《微波学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金江苏省科技计划项目国家科技重大专项更多>>

基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模: 《固体电子学研究与进展》2019年第4期245-249,258,共6页汪流刘军陶洪琪孔月婵; 国家自然科学基金资助项目(61504125,61474101,61505181); 在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过...; 关键词：氮化镓鳍式晶体管 ASM-高电子迁移率晶体管模型器件建模

褚君浩院士团队在反铁磁领域发现普适理论: 《科学家》2018年第12期5-5,共1页科学网中国科技网人民网; 11月9日,华东师范大学信息科学技术学院褚君浩院士团队在二维反铁磁领域获重要突破:在二维A-type反铁磁中提出了实现100%自旋极化的普适理论,并设计出新型二维自旋场效应晶体管模型.被认为是反铁磁应用的重要进展,该研究成果发表于《美...; 关键词：普适理论反铁磁院士信息科学技术学院华东师范大学自旋极化晶体管模型研究成果

伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展被引量：1: 《半导体技术》2018年第1期15-23,共9页刘芳陈燕宁李建强付振袁远东张海峰唐晓柯; 随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM...; 关键词：伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM) 阈值电压饱和电流电荷密度夹断电势电容模型

一种基于Pspice的IGBT模型: 《固体电子学研究与进展》2017年第2期129-133,共5页沈源钟传杰程炜涛高荣; 江苏省科技计划项目(BE2016038); 功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰及开通时间、关断时间等问题是评估一款器件乃至电力系统装置可靠性的重要因素。文中从动态特性出发,研究了一种基于Pspice的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模型。以Trench-FS(Field-stop)型IGBT晶...; 关键词：PSPICE 绝缘栅双极型晶体管模型动态特性双脉冲测试焊机电路

仅采用S参数进行谐波平衡仿真的功率放大器设计: 《电子工程信息》2016年第2期32-35,共4页朱宝明; 普遍观点认为，单独S参数结合谐波平衡（HB）无法仿真出晶体管的功率性能。本文采用HB仿真，描述了一种设计和仿真放大器最大功率的方法，而此时可用的数据只有晶体管的s参数。当非线性晶体管模型无法获得时，这种方法具有广泛应用性。...; 关键词：放大器设计谐波平衡功率性能 S参数仿真晶体管模型非线性模型最大功率

基于X参数晶体管模型的宽带功率放大器设计: 《微波学报》2015年第2期82-85,90,共5页周丹南敬昌; 国家自然科学基金(61372058);辽宁省高等学校优秀科技人才支持计划(LR2013012);辽宁工程技术大学研究生科研资助项目(5B2014032); 针对射频非线性行为建模技术,提出了一种与负载无关的晶体管X参数提取方法,并利用晶体管模型进行功率放大器设计。该方法在传统X参数提取过程中引入负载牵引技术,通过迭代获得与负载无关的晶体管X参数模型及其最佳负载阻值。与负载相关...; 关键词：与负载无关的X参数晶体管模型负载牵引宽带功放设计

单片电路晶体管模型参数提取专用TRL校准件被引量：8: 《计算机与数字工程》2015年第1期21-23,74,共4页刘晨孙静吴爱华栾鹏郑延秋梁法国; 为了满足GaAs微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在GaAs衬底上制作专用TRL校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片S参数测量的参考平面更加接近晶体...; 关键词：在片TRL校准在片S参数晶体管表征

PSP Based DCG-FGT Transistor Model Including Characterization Procedure on Dummy Cell: 《Journal of Energy and Power Engineering》2012年第11期1878-1883,共6页Abderrezak Marzaki Virginie Bidal Romain Laffont Wencelas Rahajandraibe Jean-Michel Portal Rachid Bouchakour; A new DCG-FGT （dual-control-gate floating-gate transistor） transistor model for static and transient simulations is presented. The PSP MOS （metal-oxide-semiconductor） description is used as a basis for the formula...; 关键词：晶体管模型虚拟单元 PSP 程序表征 FGT 意法半导体闪速存储器

电压阀和电流阀非线性模型的提出及应用被引量：1: 《现代电子技术》2012年第9期167-169,172,共4页林欣; 目前的电路分析理论中由于没有非线性电路模型,故对于非线性电路的计算没有形成一个完整的体系。然而在现代的电路中,具有非线性特征的晶体管电路是一种主要的电路。为此,针对晶体管非线性电路,提出了两种能够表示此类非线性元件的电路...; 关键词：电压阀电流阀非线性电路晶体管模型

LDMOSFET电热耦合解析模型: 《固体电子学研究与进展》2010年第3期370-376,424,共8页孙晓红戴文华严唯敏陈强高怀; 建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该...; 关键词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管解析模型晶体管模型封装模型热模型

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