刘金彪

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：半导体器件沟道掺杂衬底刻蚀更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子世界》《智能电网（汉斯）》更多>>
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JPV(结光电压)技术及其在硅基外延材料掺杂中的应用研究
《电子世界》2021年第18期59-60,共2页屈敏 刘聪 任宇轩 张静 刘金彪 
当前,在5G、云计算、人工智能以及大数据等需求的强力推动下,作为基础工艺的集成电路制造技术发展迅猛,器件的关键尺寸不断缩小,同时一些新的高迁移率材料也被引入制造当中,用以提高器件的性能并降低功耗,这其中,Ge材料作为一类高迁移...
关键词：集成电路制造 高迁移率 外延材料 基础工艺 人工智能 器件的性能 关键尺寸 云计算 
离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用被引量：3
《电子世界》2020年第21期187-188,共2页屈敏 孙帅 刘帅秀 潘启玮 张静 刘金彪 
近年来,半导体集成电路技术发展迅速,半导体芯片在移动设备领域的应用越发广泛,相应对芯片在能耗和处理速度上的要求也越来越严格,从而催生出一系列半导体制造技术领域的重大革新,在这其中,既包括器件结构的变革如平面器件向三维器件Fin...
关键词：离子注入技术 半导体集成电路 半导体芯片 集成电路制造工艺 半导体制造技术 移动设备 栅结构 工艺模块 
Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善
《智能电网（汉斯）》2015年第6期300-307,共8页裴紫微 陈晨 杨霏 许恒宇 张静 万彩萍 刘金彪 李俊峰 金智 刘新宇 
碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止,依旧存在着限制SiC LDMOS...
关键词：4H-SIC 传输线方法 欧姆接触 
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