离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用  

作　　者：屈敏[1] 孙帅[1] 刘帅秀 潘启玮 张静[1] 刘金彪[2] 

机构地区：[1]北方工业大学 [2]中国科学院微电子研究所

出　　处：《电子世界》2020年第21期187-188,共2页Electronics World

摘　　要：近年来,半导体集成电路技术发展迅速,半导体芯片在移动设备领域的应用越发广泛,相应对芯片在能耗和处理速度上的要求也越来越严格,从而催生出一系列半导体制造技术领域的重大革新,在这其中,既包括器件结构的变革如平面器件向三维器件FinFet,Nano-Wire等立体结构的转换,也包括各工艺模块甚至单项工艺技术的革新,如今,以Finfet为代表的立体栅结构已成为22nm技术节点以下逻辑器件的行业主流,各工艺的优化也都围绕着这类器件的需求展开。本文介绍了当前离子注入技术在纳米集成电路制造工艺中的关键应用及未来的发展方向。

关 键 词：离子注入技术 半导体集成电路 半导体芯片 集成电路制造工艺 半导体制造技术 移动设备 栅结构 工艺模块 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]