离子注入技术

作品数:183被引量:294H指数:9
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相关机构:中国科学院北京师范大学南京航空航天大学山东大学更多>>
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第二十三讲 离子注入与离子辅助沉积技术
《真空》2024年第5期110-112,共3页张以忱 
本讲主要内容:了解离子注入技术的基础理论、设备和工艺必备条件;了解各种离子源的结构及工作原理;了解半导体离子掺杂工艺与热扩散的差异;了解真空离子辅助沉积技术的原理和应用特点;了解离子辅助沉积技术与真空离子镀膜技术的各自特...
关键词:离子辅助沉积 离子注入技术 镀膜技术 热扩散 工艺过程 离子掺杂 真空离子镀膜 基础理论 
离子注渗复合表面改性技术研究进展被引量:1
《表面技术》2024年第5期18-30,共13页赵燕春 何瑞芳 张斌 王欣 许春玲 高凯雄 
国家重大科技项目(J2019-VII-0015-0155);甘肃省自然科学基金重点项目(22JR5RA095);中国科学院“西部之光”人才计划;甘肃省重点研发计划(22YF7GA155)。
综合国内外研究现状,目前针对离子注渗复合表面改性技术已开展了大量的研究工作,然而还缺少对其进行系统介绍的研究报道。首先,对离子渗技术(离子渗氮、离子渗碳和离子渗硫)、离子注入技术(氮离子注入、碳离子注入和金属离子注入)和离...
关键词:材料失效 离子渗技术 离子注入技术 离子注渗复合技术 
飞秒激光直写非阿贝尔三维光子芯片被引量:1
《科学通报》2022年第34期4041-4043,共3页祝世宁 
光子与电子相比具有高速率、低能耗、抗干扰等优势,以光子作为载体的集成光子芯片越来越受重视,成为后摩尔时代实现信息传输与处理的重要选项.当前,集成光子芯片在诸多材料体系中获得了广泛研究,包括硅基[1]、铌酸锂[2]、聚合物[3]等....
关键词:离子注入技术 芯片集成度 刻蚀技术 化学气相沉积技术 阿贝尔 铌酸锂 低能耗 抗干扰 
离子注入法在316L不锈钢基体上制备Al_(2)O_(3)阻氚涂层
《稀有金属材料与工程》2021年第11期3896-3900,共5页冯军 李必文 陈文波 陈美艳 但敏 
National Key Research and Development Program of China(2018YFE0313100);Scientific Research Project of Hunan Provincial Department of Education(18A249)。
采用离子注入技术在316L不锈钢基体上制备了氧化铝阻氚涂层。对离子注入法的不同工艺参数对α-Al_(2)O_(3)涂层摩擦磨损、耐腐蚀、抗热震、阻氚性能的影响进行了研究。结果表明:温度、加速电压及离子注入剂量对α-Al_(2)O_(3)的含量均...
关键词:离子注入技术 氧化铝涂层 阻氚涂层 
离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用分析被引量:1
《中国科技期刊数据库 工业A》2021年第8期264-264,266,共2页石庆球 
近些年来,随着科学技术的不断创新发展,半导体集成电路技术迅速发展成熟,各个行业中都能看到半导体芯片的身影,尤其是在移动设备领域,半导体芯片应用广泛,在此发展背景下,用户对半导体芯片的工作效率和能耗提出了更高要求,技术人员不断...
关键词:离子注入技术 纳米集成电路工艺 关键应用 
离子注入技术在n型太阳电池中的应用研究
《科学与信息化》2021年第17期100-101,共2页张伟 聂师华 
本文提出了一种高效率、低成本的双面n型PERT(钝化发射极背面全扩散)电池的制备方法,采用常规的BBr3热扩散技术制备p+发射极,采用磷离子注入技术替代常规的POCl3扩散制备n+背场,为了减少工艺步骤和热损耗,将BBr3热扩散与磷离子注入后的...
关键词:离子注入 热退火 方块电阻 钝化 开路电压 
高效率N型离子注入太阳电池技术的研究
《电子世界》2021年第6期73-74,共2页刘莹 张伟 吴萌萌 李英叶 陈志军 
离子注入技术已经成功的从IC(集成电路)制造中延伸到了太阳能池的制造过程中,并且成为N型单晶太阳能池的研究热点。我们在电阻率为1-3Ω.cm的N型硅片基底上,采用离子注入技术工业化生产的太阳能电池的最高效率达到12.2%,平均转化效率为2...
关键词:太阳能电池 离子注入技术 太阳电池 离子注入掺杂 方块电阻 转化效率 高效率 均匀性 
离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用被引量:3
《电子世界》2020年第21期187-188,共2页屈敏 孙帅 刘帅秀 潘启玮 张静 刘金彪 
近年来,半导体集成电路技术发展迅速,半导体芯片在移动设备领域的应用越发广泛,相应对芯片在能耗和处理速度上的要求也越来越严格,从而催生出一系列半导体制造技术领域的重大革新,在这其中,既包括器件结构的变革如平面器件向三维器件Fin...
关键词:离子注入技术 半导体集成电路 半导体芯片 集成电路制造工艺 半导体制造技术 移动设备 栅结构 工艺模块 
离子注入对红小豆农艺性状及产量的影响被引量:4
《山西农业科学》2020年第10期1593-1595,1605,共4页李海金 刘化涛 晋凡生 常建忠 刘恩科 
山西省农业科学院创新项目(YCX2018410);山西省重点研发计划项目(201803D221012-3);有机旱作山西省重点实验室(201805D111015)。
为了丰富红小豆种质资源、优化育种进程,通过离子注入技术处理作物种子,使植株性状得到诱变,进而筛选出优良植株,是重要且有效的育种方法之一。采用田间试验的方法,研究不同的离子注入剂量对红小豆植株农艺性状及产量的影响。结果表明,...
关键词:红小豆 离子注入技术 田间试验 农艺性状 产量 
Ⅱ-Ⅵ宣布收购Ascatron和INNOViON
《半导体信息》2020年第4期40-40,共1页
化合物半导体领导者Ⅱ-Ⅵ Incorporated近日宣布,它已达成一项最终协议,收购碳化硅SiC外延晶片和电力电子器件领导者Ascatron AB的所有已发行股份。II-VI还宣布,它将收购用于硅和化合物半导体器件的离子注入技术的领导者INNOViON Corpor...
关键词:化合物半导体 离子注入技术 半导体器件 电力电子器件 收购 发行股份 
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