离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用分析  

作　　者：石庆球 

机构地区：[1]上海华力微电子有限公司,上海200123

出　　处：《中国科技期刊数据库 工业A》2021年第8期264-264,266,共2页

摘　　要：近些年来,随着科学技术的不断创新发展,半导体集成电路技术迅速发展成熟,各个行业中都能看到半导体芯片的身影,尤其是在移动设备领域,半导体芯片应用广泛,在此发展背景下,用户对半导体芯片的工作效率和能耗提出了更高要求,技术人员不断进行半导体制造技术创新,取得了优异效果,例如器件结构的转变,平面器件逐步向三维立体结构转换,另外,多种单项工艺技术也在不断进行创新改进,部分先进技术已成为行业顶尖,从整体角度来讲,多种工艺的优化发展仍围绕着纳米集成电路制造工艺进行,基于此,文章深入探讨了离子注入技术在纳米集成电路制造工艺中的应用,并提出了发展建议。

关 键 词：离子注入技术 纳米集成电路工艺 关键应用 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]