第二十三讲 离子注入与离子辅助沉积技术  

No.23:Ion implantation and ion assisted deposition technology

作　　者：张以忱[1] ZHANG Yi-chen

机构地区：[1]东北大学,辽宁沈阳110004

出　　处：《真空》2024年第5期110-112,共3页Vacuum

摘　　要：本讲主要内容:了解离子注入技术的基础理论、设备和工艺必备条件;了解各种离子源的结构及工作原理;了解半导体离子掺杂工艺与热扩散的差异;了解真空离子辅助沉积技术的原理和应用特点;了解离子辅助沉积技术与真空离子镀膜技术的各自特点和异同;了解不同离子辅助沉积工艺的原理、工艺过程及应用特点;了解真空离子辅助沉积镀膜技术的发展态势。

关 键 词：离子辅助沉积 离子注入技术 镀膜技术 热扩散 工艺过程 离子掺杂 真空离子镀膜 基础理论 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]