飞秒激光直写非阿贝尔三维光子芯片  

Non-Abelian 3D photonic chips fabricated by femtosecond-laser direct-writing

作　　者：祝世宁[1] Shining Zhu(National Laboratory of Solid State Microstructures,School of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China)

机构地区：[1]固体微结构物理国家重点实验室,南京大学物理学院,南京210093

出　　处：《科学通报》2022年第34期4041-4043,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：光子与电子相比具有高速率、低能耗、抗干扰等优势,以光子作为载体的集成光子芯片越来越受重视,成为后摩尔时代实现信息传输与处理的重要选项.当前,集成光子芯片在诸多材料体系中获得了广泛研究,包括硅基[1]、铌酸锂[2]、聚合物[3]等.人们发展了多种加工技术用于光子芯片制备,其中包括掩膜+刻蚀技术、离子注入技术、化学气相沉积技术等,目前这些技术主要用于二维光子芯片的制备,完成的各种结构主要在芯片的表面.如果能充分利用芯片的纵向自由度,芯片集成度能有很大的提升空间.

关 键 词：离子注入技术 芯片集成度 刻蚀技术 化学气相沉积技术 阿贝尔 铌酸锂 低能耗 抗干扰 

分 类 号：TN491[电子电信—微电子学与固体电子学] TN249