高效率N型离子注入太阳电池技术的研究  

作　　者：刘莹 张伟 吴萌萌 李英叶 陈志军 

机构地区：[1]光伏材料与技术国家重点实验室 [2]英利能源(中国)有限公司

出　　处：《电子世界》2021年第6期73-74,共2页Electronics World

摘　　要：离子注入技术已经成功的从IC(集成电路)制造中延伸到了太阳能池的制造过程中,并且成为N型单晶太阳能池的研究热点。我们在电阻率为1-3Ω.cm的N型硅片基底上,采用离子注入技术工业化生产的太阳能电池的最高效率达到12.2%,平均转化效率为20.9%。我们还进行了离子注入掺杂技术对方块电阻的掺杂曲线、均匀性、及电池参数的影响研究。

关 键 词：太阳能电池 离子注入技术 太阳电池 离子注入掺杂 方块电阻 转化效率 高效率 均匀性 

分 类 号：TM9[电气工程—电力电子与电力传动]