JPV(结光电压)技术及其在硅基外延材料掺杂中的应用研究  

作　　者：屈敏[1] 刘聪[1] 任宇轩 张静[1] 刘金彪[2] 

机构地区：[1]北方工业大学 [2]中国科学院微电子研究所

出　　处：《电子世界》2021年第18期59-60,共2页Electronics World

摘　　要：当前,在5G、云计算、人工智能以及大数据等需求的强力推动下,作为基础工艺的集成电路制造技术发展迅猛,器件的关键尺寸不断缩小,同时一些新的高迁移率材料也被引入制造当中,用以提高器件的性能并降低功耗,这其中,Ge材料作为一类高迁移率材料最为业内关注。

关 键 词：集成电路制造 高迁移率 外延材料 基础工艺 人工智能 器件的性能 关键尺寸 云计算 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]