基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进  

An Improved Surface-Potential-Based I-V Model for HV LDMOS

作　　者：孙玲玲[1] 何佳[1] 刘军[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州310018

出　　处：《电子器件》2008年第4期1109-1112,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取。在开放的PSP模型Verilog-A代码基础上完成改进代码的实现。最终的结果表明,采用改进后的模型,仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合,该模型大大提高了PSPI-V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度,对于实用高压集成电路的设计和仿真有着重要意义。This paper presents a technique for modeling high-voltage LDMOS （HV LDMOS） devices. The improvements are based on the PSP surface potential functions. In order to improve the I-V model for modeling HV LDMOS devices, measurements on HV LDMOS devices are performed with Agilent DC test systems, parameter extraction is executed by ICCAP and ADS simulators. At last, we improved the whole model based on the PSP free Verilog-A source code, and the result shows that the simulated data for HV LDMOS devices after parameter extraction fit the measured data very well.

关 键 词：器件建模 高压LDMOS VERILOG-A 参数提取 BSIM3模型 PSP模型 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]