用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程  

Agilent HBT Model Parameters Extraction Procedure For InP HBT

作　　者：何佳[1] 孙玲玲[1] 刘军[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州,310018 杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州,310018 杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州,310018

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期443-447,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国防科技重点实验室基金资助项目(批准号:9140c0605010702)

摘　　要：介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz～25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.

关 键 词：AGILENT HBT INP 大信号 模型 参数提取 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]