“GaN电子器件与先进集成”专题前言  

Foreword to “GaN Electronics and Advanced Integration” Special Report

作　　者：黄伟[1] 

机构地区：[1]复旦大学

出　　处：《电子与封装》2021年第2期I0003-I0003,I0002,共2页Electronics & Packaging

摘　　要：GaN半导体技术是具有战略性、先导性等显著特性的新一代半导体芯片技术。因GaN材料具有宽禁带宽度、高功率密度、强击穿电场等优势,GaN电子器件,尤其是GaN微波固态器件,已被公认为变革军事电子系统与架构的颠覆性元器件之一,上述器件在我国目前推进的嫦娥、天宫等航天工程以及空间站建设任务中的应用正得到国家的大力支持。

关 键 词：半导体芯片 半导体技术 电子器件 固态器件 GAN材料 击穿电场 高功率密度 航天工程 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]