击穿电场

作品数：37被引量：47H指数：4
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我国第三代半导体行业2025年规模有望超过500亿元
《中国战略新兴产业》2022年第2期72-76,共5页朱茜 
随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展,我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求,目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)...
关键词：宽禁带半导体材料 新能源汽车 国产化替代 第三代半导体 耐高压 击穿电场 市场需求 
广东省第三代半导体创新发展刍议被引量：3
《广东科技》2022年第1期44-46,共3页赵维 韦文求 贺龙飞 
广东省软科学研究计划项目“面向2035的广东省新材料领域技术预测研究”(2019B101001011)。
第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(禁带宽度大于2 eV),近年来扩展至氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga_(2)O_(3))、氮化硼(BN)等超宽禁带半导体。相比于以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体和以砷化镓(G...
关键词：半导体集成电路 宽禁带半导体 现代电子技术 击穿电场 氧化镓 第三代半导体 新一代通信 电子漂移 
宽禁带半导体物理被引量：1
《科学观察》2021年第5期85-88,共4页申德振 
宽禁带半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga_(2)O_(3))和金刚石等,也被称为第3代半导体材料。与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等前两代传统半导体材料相比,宽禁带半导体材料除具有优异的光电特性外,还具有...
关键词：宽禁带半导体材料 光电器件 击穿电场 氧化镓 抗辐射能力 光电特性 介电常数 
网词百科
《网络传播》2021年第10期94-96,共3页刘超超 
解锁科技热词科普流行用语科技热词碳化硅是第三代化合物半导体材料,因其优越的物理性能,即高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将成为未来广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。它可用于制作功率器件,能显著...
关键词：半导体芯片 高功率密度 击穿电场 电能利用率 功率器件 解锁 高热导率 高电导率 
大力发展第3代半导体产业 助力实现“双碳”目标
《新材料产业》2021年第5期1-1,共1页
以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料被称为“第3代半导体材料”,因具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件,可广泛应用在高压...
关键词：半导体产业 抗辐射能力 宽禁带半导体材料 射频通信 电源管理 氮化镓 电力电子 击穿电场 
“GaN电子器件与先进集成”专题前言
《电子与封装》2021年第2期I0003-I0003,I0002,共2页黄伟 
GaN半导体技术是具有战略性、先导性等显著特性的新一代半导体芯片技术。因GaN材料具有宽禁带宽度、高功率密度、强击穿电场等优势,GaN电子器件,尤其是GaN微波固态器件,已被公认为变革军事电子系统与架构的颠覆性元器件之一,上述器件在...
关键词：半导体芯片 半导体技术 电子器件 固态器件 GAN材料 击穿电场 高功率密度 航天工程 
纳米改性聚丙烯复合绝缘材料性能研究Ⅰ——在交流电场下的击穿特性被引量：4
《南方电网技术》2021年第1期41-47,共7页张楚岩 杨松澎 廖一帆 张福增 王国利 王黎明 刘慧芳 徐惠勇 
中央高校基本科研业务费专项资金(2652017115);特高压工程技术(广州、昆明)国家工程实验室开放基金项目(NEL201810)。
聚丙烯作为一种复合绝缘材料目前已广泛应用于射频电容器及电力电缆等设备中。聚丙烯混合天然纳米黏土颗粒后可作为一种纳米复合绝缘材料应用于实际工程中。本文旨在通过实验及理论的研究获取该复合绝缘材料的电气性能,为其应用提供技...
关键词：纳米电介质 聚丙烯 击穿电场 介电常数 电流密度 复合绝缘 
射频应用:利用硅基氮化稼外延片实现低传导损耗
《半导体信息》2020年第6期15-16,共2页
近年来,对GaN功率和RF器件的各种应用越来越多广泛,GaN基产品的需求不断增长,总部位于新加坡的IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)积极开发硅/碳化硅基氮化稼外延片(GaN-on-Si/SiC)和专有的8英寸(200毫米)GaN制造技术并实现了商业化,产品用于功率,R...
关键词：外延片 击穿电场 GaN 传感器应用 漂移速度 航空航天 高频器件 宽带隙 
编者按
《人工晶体学报》2020年第11期I0002-I0003,共2页徐科 王新强 黎大兵 
作为微电子和光电子的关键支撑材料,半导体晶体无疑是当今最重要的功能材料之一。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(Diamond)、氧化镓(Ga2O3)和氮化铝(AlN)等为代表的第三代半导体晶体,具有高击穿电场、高饱和电子速度...
关键词：光电器件 高迁移率 击穿电场 半导体晶体 氧化镓 战略性新兴产业 高热导率 电子密度 
氮化镓挑起半导体界的大梁 进入倒计时被引量：1
《半导体信息》2020年第4期1-2,共2页
近些年,由于第三代半导体材料的相关研究大多处于初级阶段,围绕其展开的各种争论不绝于耳,其中最为激烈的便是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)之争。而最近,无论是从研发应用引起的市场反响来讲,还是从年后股票市场追捧程度来看,氮化镓王者之...
关键词：宽禁带半导体 半导体材料 高迁移率 击穿电场 电子密度 高热导率 倒计时 第三代半导体 
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