大力发展第3代半导体产业 助力实现“双碳”目标  

出　　处：《新材料产业》2021年第5期1-1,共1页Advanced Materials Industry

摘　　要：以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料被称为“第3代半导体材料”,因具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件,可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域,包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。

关 键 词：半导体产业 抗辐射能力 宽禁带半导体材料 射频通信 电源管理 氮化镓 电力电子 击穿电场 

分 类 号：F42[经济管理—产业经济]