射频应用:利用硅基氮化稼外延片实现低传导损耗  

出　　处：《半导体信息》2020年第6期15-16,共2页Semiconductor Information

摘　　要：近年来,对GaN功率和RF器件的各种应用越来越多广泛,GaN基产品的需求不断增长,总部位于新加坡的IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)积极开发硅/碳化硅基氮化稼外延片(GaN-on-Si/SiC)和专有的8英寸(200毫米)GaN制造技术并实现了商业化,产品用于功率,RF和传感器应用。当前,GaN的材料的宽带隙可提供出色的击穿电场和高漂移速度,适合制造高功率和高频器件,可应用于军事,国防,航空航天和下一代电信(尤其是5G网络)等领域。

关 键 词：外延片 击穿电场 GaN 传感器应用 漂移速度 航空航天 高频器件 宽带隙 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]