我国第三代半导体行业2025年规模有望超过500亿元  

作　　者：朱茜 

机构地区：[1]前瞻产业研究院

出　　处：《中国战略新兴产业》2022年第2期72-76,共5页China Strategic Emerging Industry

摘　　要：随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展,我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求,目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第三代半导体材料,目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与传统材料相比,第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件,因此,以其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频。

关 键 词：宽禁带半导体材料 新能源汽车 国产化替代 第三代半导体 耐高压 击穿电场 市场需求 

分 类 号：F42[经济管理—产业经济]