宽禁带半导体物理  

Wide Bandgap Semiconductor Material

作　　者：申德振[1] Shen Dezhen

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春130033

出　　处：《科学观察》2021年第5期85-88,共4页Science Focus

摘　　要：宽禁带半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga_(2)O_(3))和金刚石等,也被称为第3代半导体材料。与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等前两代传统半导体材料相比,宽禁带半导体材料除具有优异的光电特性外,还具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强、介电常数低等优越性能,因此宽禁带半导体材料被广泛用于制作电子电力和光电器件。

关 键 词：宽禁带半导体材料 光电器件 击穿电场 氧化镓 抗辐射能力 光电特性 介电常数 

分 类 号：O47[理学—半导体物理] TN304[理学—物理]