广东省第三代半导体创新发展刍议  

作　　者：赵维 韦文求[2] 贺龙飞 

机构地区：[1]广东省科学院半导体研究所 [2]广东省生产力促进中心

出　　处：《广东科技》2022年第1期44-46,共3页Guangdong Science & Technology

基　　金：广东省软科学研究计划项目“面向2035的广东省新材料领域技术预测研究”(2019B101001011)。

摘　　要：第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(禁带宽度大于2 eV),近年来扩展至氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga_(2)O_(3))、氮化硼(BN)等超宽禁带半导体。相比于以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体,第三代半导体具有更大的禁带宽度和击穿电场、更高的工作频率和电子漂移饱和速度、更稳定的物理化学性质等优异特性,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的要求。第三代半导体是推动半导体集成电路产业实现“超越摩尔”的重要材料,是新一代通信、新能源汽车、轨道交通、智能电网、新型显示、航空航天等诸多高技术领域无可替代的“核芯”,也是实现碳达峰、碳中和、以及新型基础设施建设等国家战略需要的重要环节,正逐渐成为全球各国取得竞争优势的战略高地。

关 键 词：半导体集成电路 宽禁带半导体 现代电子技术 击穿电场 氧化镓 第三代半导体 新一代通信 电子漂移 

分 类 号：F426.63[经济管理—产业经济]