编者按  

作　　者：徐科 王新强 黎大兵 

机构地区：[1]不详

出　　处：《人工晶体学报》2020年第11期I0002-I0003,共2页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：作为微电子和光电子的关键支撑材料,半导体晶体无疑是当今最重要的功能材料之一。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(Diamond)、氧化镓(Ga2O3)和氮化铝(AlN)等为代表的第三代半导体晶体,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,可广泛应用于光电器件和高功率器件,被视为未来支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料,是各国竞相发展的战略性新兴产业。

关 键 词：光电器件 高迁移率 击穿电场 半导体晶体 氧化镓 战略性新兴产业 高热导率 电子密度 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]