氮化镓挑起半导体界的大梁 进入倒计时  

出　　处：《半导体信息》2020年第4期1-2,共2页Semiconductor Information

摘　　要：近些年,由于第三代半导体材料的相关研究大多处于初级阶段,围绕其展开的各种争论不绝于耳,其中最为激烈的便是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)之争。而最近,无论是从研发应用引起的市场反响来讲,还是从年后股票市场追捧程度来看,氮化镓王者之相已露端倪。众所周知,第三代半导体又称宽禁带半导体,相较于第一代和第二代半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点和优势,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等材料为代表。

关 键 词：宽禁带半导体 半导体材料 高迁移率 击穿电场 电子密度 高热导率 倒计时 第三代半导体 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]