“半导体激光器”专题前言  

作　　者：黄永箴 郭霞 宋清海 张青 

机构地区：[1]中科院半导体研究所学术委员会 [2]中青科协 [3]中国物理学会女物理工作者委员会 [4]北京市青联 [5]哈尔滨工业大学(深圳)理学院 [6]哈尔滨工业大学(深圳)微纳光电信息系统与理论工信部重点实验室 [7]北京大学工学院

出　　处：《中国激光》2020年第7期1-2,共2页Chinese Journal of Lasers

摘　　要：自1962年第一只半导体激光器成功问世以来,这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向,成为现代工业的变革性力量,是各国高科技领域竞争的制高点,是“新型基础设施建设”中的核心。在国家多个科技计划支持下,我国科研人员先后实现了波长覆盖600~1550 nm的GaAs和InP半导体激光器产业化,且随着宽禁带GaN材料外延技术的不断进步,又先后实现了蓝光和绿光波段激光器的室温激射,并正向紫外方向拓展。在长波方向,基于能带剪裁的量子级联激光器已经覆盖了3~25μm和太赫兹波段,锑化物激光器在2~4μm波段实现商用。

关 键 词：半导体激光器 量子级联激光器 外延技术 激光制造 激光成像 光纤通信 GAN材料 宽禁带 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]