第三代半导体GaN材料发展状况简介  

作　　者：李超[1] 陈冲 李佳霖 何佳旺 李易家 

机构地区：[1]吉林建筑大学

出　　处：《经济技术协作信息》2021年第15期106-106,共1页

基　　金：吉林建筑大学大学生创新创业项目《不同剂量氟处理对GaN基器件横向电场分布影响研究》资助。

摘　　要：半导体材料,作为半导体技术的基础和支撑,从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。自1947年,世界上第一只半导体锗(Ge)材料晶体管的诞生到1965年半导体硅(Si)材料超越Ge材料成为半导体集成电路的主要材料,再到二十世纪七十年代以砷化镓(GaAs)材料为代表的第二代半导体材料的引入,半导体技术的发展与进步不断地引起世界各国的重视,尤其是近年来,无线通信、雷达等领域的高频率、宽带宽、大功率、高效率器件的需要,第三代半导体材料——以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),金刚石为代表的宽禁带半导体材料得到迅速的发展,得到了世界各国广泛的关注。

关 键 词：半导体集成电路 半导体技术 宽禁带半导体材料 无线通信 GAN材料 第三代半导体 半导体科技 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]