GaN基高电子迁移率晶体管专利分析  

作　　者：罗晓雅[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心

出　　处：《中国科技信息》2023年第19期20-23,共4页China Science and Technology Information

摘　　要：技术概述。相对于以Si为代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料,以GaN和SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速率大、耐高温以及抗辐射能力强的优点,在射频领域和大功率方面显示出卓越的优势。除此之外,在GaN材料上生长AlGaN后形成异质结构,AlGaN/GaN界面处会由极化效应产生高浓度的二微电子气(2 DEG),2 DEG被限制在二维平面运动而减少散射,因此具有高达2 000cm2/V·s的电子迁移率,从而能够被应用于射频器件中。

关 键 词：高电子迁移率晶体管 半导体材料 临界击穿电场 电子迁移率 射频器件 异质结构 GAN材料 抗辐射能力 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] G255.53[文化科学—图书馆学]