赵建群

作品数：3被引量：8H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：磷化铟半导体材料单晶孪晶半绝缘更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究被引量：6
《人工晶体学报》2003年第5期460-463,共4页赵有文 段满龙 孙文荣 杨子祥 焦景华 赵建群 曹慧梅 吕旭如 
通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。...
关键词：磷化铟 单晶 成晶率 质量 液封直拉法 孪晶 均匀性 固液界面 半导体材料 
Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP
《Journal of Semiconductors》2002年第3期285-289,共5页赵有文 董宏伟 焦景华 赵建群 林兰英 孙聂枫 孙同年 
Semi insulating (SI) InP wafers of 50 and 75mm in diameter can be obtained by annealing of undoped liquid encapsulated Czochralski (LEC) InP at 930℃ for 80h.The annealing ambient can be pure phosphorus (PP) or iron ...
关键词：indium phosphide semi  insulating ANNEALING 
非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第1期53-56,共4页董宏伟 赵有文 焦景华 赵建群 林兰英 
中国科学院半导体研究所材料中心科研发展基金资助项目~~
对高温退火非掺磷化铟 (In P)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究 .非掺低阻 N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行 930℃、80 h退火均可获得半绝缘材料 .但在这两种条件下制备的两种 5 0 mm半绝缘晶片却呈现出不...
关键词：磷化铟 非掺 半绝缘 均匀性 半导体材料 
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