空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响  

Influence of Vacancy and Interstitial on Material Property of Semi-Insulating InP Single Crystal

作　　者：赵有文[1] 吕小红[1] 董志远[1] 段满龙[1] 孙文荣[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期175-178,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.

关 键 词：磷化铟 半绝缘 空位 填隙 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]