刘刚

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：衬底单晶生长INASINP单晶磷化铟更多>>
发文领域：电子电信理学轻工技术与工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2
《人工晶体学报》2017年第5期820-824,共5页杨俊 段满龙 卢伟 刘刚 高永亮 董志远 王俊 杨凤云 王凤华 刘京明 谢辉 王应利 卢超 赵有文 
国家自然科学基金(61474104,61504131)
采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-...
关键词：锑化镓(Ga Sb) 液封直拉法(LEC) 单晶 衬底 
4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：4
《人工晶体学报》2017年第5期792-796,共5页赵有文 段满龙 卢伟 杨俊 董志远 刘刚 高永亮 杨凤云 王风华 王俊 刘京明 谢辉 王应利 卢超 
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均...
关键词：磷化铟(In P) 垂直温度梯度凝固(VGF) 孪晶 组份过冷 
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