f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管  

SiGe/Si Heterostructure Bipolar Transistors (HBTs) with f_T up to 9GHz

作　　者：邹德恕[1] 陈建新[1] 高国[1] 沈光地[1] 杜金玉[1] 王东凤[1] 张时明 袁颍 

机构地区：[1]北京工业大学和北京市光电子技术实验室

出　　处：《北京工业大学学报》1996年第4期55-59,共5页Journal of Beijing University of Technology

基　　金：国家自然科学基金;国家科委"八六三计划";北京市科委高技术资助项目

摘　　要：叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。SiGe/Si HBT's design is considered; the processing of a double mesa struncture is discussed. SiGe/Si HBTs with different sizes are fabricated, in which the maximum fT is up to 9GHz. Measurement shows that the distribution parameters are the main factors which influcence fT.

关 键 词：硅锗合金 异质结构 双台面结构 双极晶体管 硅 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]