云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HFET

HFET: 作品数：103被引量：100H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：薛舫时陈堂胜张志国杨克武杨瑞霞更多>>; 相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学河北工业大学更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子学》《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》《半导体技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>

嵌入分段半超结的p-栅增强型垂直GaN基HFET: 《电子与封装》2024年第8期98-108,共11页杨晨飞韦文生汪子盛丁靖扬; 国家自然科学基金(62374116)。; 元胞面积相同的增强型垂直GaN/AlGaN异质结场效应管比横向HFET能承受更高的电压和更大的电流,适用于大功率领域,但在耐压时漂移区场强峰值高而容易提前击穿。提出了一种嵌入分段半超结的增强型垂直HFET,利用p型掺杂GaN栅和p+型掺杂GaN...; 关键词：增强型垂直HFET 分段半超结 GaN/AlGaN异质结

含GaN/AlGaN双异质结源极和半超结的增强型垂直HFET的静态特性: 《功能材料与器件学报》2023年第5期337-350,共14页汪子盛韦文生杨晨飞丁靖扬陈超逸杨锦天; 国家自然科学基金项目(No.62374116); GaN/AlGaN异质结垂直型场效应晶体管(HFET)可用作大功率开关等,但性能受限于击穿电压(V_(B))与比导通电阻(R_(on,sp))的折衷,值得深入研发。本文构建了一种包含GaN/Al_(x1(x2))Ga_(1-x1(x2))N双异质结源极和(n)GaN/(p_(1(2)))Al_(x3(x4)...; 关键词：增强型垂直HFET GaN/AlGaN双异质结源极 (n)GaN/(p)AlGaN叠层异质半超结

GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带: 《固体电子学研究与进展》2023年第2期108-120,共13页薛舫时杨乃彬陈堂胜; 江苏省重点研发计划资助项目(SBE2022020239,BE2020007)。; 使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟...; 关键词：虚栅电流崩塌能带畸变局域电子气涉及异质结能带转换的虚栅模型陷阱和局域电子气的相互作用异质结鳍

Normally-off AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors with in-situ AlN gate insulator被引量：1: 《Chinese Physics B》2022年第12期526-530,共5页Taofei Pu Shuqiang Liu Xiaobo Li Ting-Ting Wang Jiyao Du Liuan Li Liang He Xinke Liu Jin-Ping Ao; Supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61904207);scientific research support foundation for introduced high-level talents of Shenyang Ligong University(Grant No.1010147000914);the Natural Science Foundation of Sichuan Province,China(Grant No.2022NSFSC0886); AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors(HFETs)with p-GaN cap layer are developed for normally-off operation,in which an in-situ grown AlN layer is utilized as the gate insulator.Compared with the SiNxgate in...; 关键词：AlGaN/GaN HFET NORMALLY-OFF in-situ AlN METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR

GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续): 《固体电子学研究与进展》2022年第4期251-257,262,共8页薛舫时杨乃彬陈堂胜; 国家自然科学基金资助项目(61874101);江苏省重点研发计划资助项目(BE2020007)。; 考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越...; 关键词：跨导崩塌能带峰势垒能带畸变局域电子气陷阱和局域电子气的相互作用沟道电子的速-场特性钟形跨导曲线异质结鳍

GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法: 《通讯世界》2022年第7期107-109,共3页银军黄旭李用兵余若祺倪涛王忠许春良赵鹏阁; 本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命...; 关键词：GaAs异质结构场效应晶体管热电子效应射频加速试验可靠性

基于AlN衬底的AlGaN/GaN HFET材料性能研究: 《标准科学》2022年第S01期269-272,共4页李佳房玉龙崔波张志荣尹甲运高楠陈宏泰; AlN与其他常见衬底材料(如蓝宝石或碳化硅)相比,具有与GaN晶格失配低、衬底与外延层间的应力小等特点,在制备高温、高频、高功率电子器件方面都有着非常广泛的应用前景。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在AlN衬底上的外延生...; 关键词：AlN衬底 AlGaN/GaN HFET 迁移率应力

GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌: 《固体电子学研究与进展》2022年第3期163-169,共7页薛舫时杨乃彬陈堂胜; 国家自然科学基金资助项目(61874101);江苏省重点研发计划资助项目(BE2020007)。; 考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越...; 关键词：跨导崩塌能带峰势垒能带畸变局域电子气陷阱和局域电子气的相互作用沟道电子的速-场特性钟形跨导曲线异质结鳍

势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管: 《微纳电子技术》2022年第5期399-403,共5页房玉龙张志荣尹甲运王波高楠芦伟立陈宏泰牛晨亮; 河北省省级科技计划资助项目(20311001D)。; 设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰...; 关键词：台阶梯度异质结氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(HFET) 均匀性无线通信

GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2020年第4期237-242,257,共7页薛舫时杨乃彬陈堂胜; 国家自然科学基金资助项目(61874101)。; 从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,...; 关键词：亚稳态能带电流崩塌能带峰填充能级能带谷充电应力偏置对动态电流的影响电流崩塌模型陷阱

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