国产晶体管的长期贮存可靠性  

作　　者：吕长志[1] 张小玲[1] 谢雪松[1] 程尧海[1] 王东凤[1] 李志国[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室,100124

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2009年第B10期69-72,共4页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

摘　　要：测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性。贮存37年的3DK7F100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数h_(FE)减小超规范失效,其最大退化率为-50%,年均退化率-1.35%。存贮29年的3DG101F,7只中有3只h_(FE)的减小超过-30%,占该批晶体管43%,h_(FE)最大退化从110减小到73,退化率为-34%。年均退化率-1.2%。存贮30年的J3AX54B h_(FE)增加幅度最大,从120增加到134,增加了12%。年均增加0.4%。测试结果表明:在长期贮存中,晶体管的输出特性会发生退化;h_(FE)值即有增加,也有减小。

关 键 词：晶体管 长期贮存 可靠性 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]