SiGe/Si异质结双极晶体管  

作　　者：杨亚光[1] 

机构地区：[1]电子工业部第四十七研究所

出　　处：《半导体技术》1997年第4期10-16,共7页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的特点、自对准ＨＢＴ、非自对准ＨＢＴ的结构以及通过低温热循环、ＳＰＯＴＥＬ、重硼掺杂等工艺使ｆＴ从２０ＧＨｚ增至１１０ＧＨｚ的方法。

关 键 词：HBT 设计 异质结 双极晶体管 

分 类 号：TN322.802[电子电信—物理电子学]