SiGe/Si异质结双极晶体管研究  

Development of a SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transist or

作　　者：李开成[1] 刘道广[2] 张静[1] 易强 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060 [2]信息产业部电子第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2000年第3期144-146,共3页Microelectronics

摘　　要：介绍了一种 Si Ge/Si分子束外延异质结双极晶体管 ( HBT)的研制。该器件采用 3μm工艺制作 ,测量得其电流放大系数β为 50 ,截止效率 f T 为 5.1 GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的单片成品率在 90 %以上。A SiGe/Si heterojunction bipola r transistor(HBT) based on Molecular Bea m Epitaxial(MBE) SiGe alloy is described in the paper The device is fabricated i n 3-μm process technology The measured r esults indicates that the DC & AC charac teristics of the HBT are satisfactory Th e current amplification coefficient β i s 50,and the cutoff frequency f T is 5 1 GHz A yield above 90% has been achiev ed for the HBT

关 键 词：分子束外延 异质结双极晶体管 锗-硅合金 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]