魏欢

作品数：6被引量：2H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：HBTSIGE/SI锗化硅电流增益异质结双极晶体管更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子学报》《北京工业大学学报》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT
《半导体技术》2001年第3期51-52,55,共3页邹德恕 陈建新 徐晨 魏欢 史辰 杜金玉 高国 邓军 沈光地 
北京市自然科学基金!4962005;国家"863"计划项目!863-307-15-4(06);国家自然科学基金重大项目
通过优化设计ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到２６０００的高增益异质结晶体管。
关键词：HBT 电流增益 锗化硅 异质结晶体管 
低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析被引量：1
《电子学报》2001年第2期285-286,274,共3页徐晨 沈光地 邹德恕 陈建新 邓军 魏欢 杜金玉 高国 
国家"863"计划! (No .863 30 7 1 5 4(0 6) ) ;国家973项目! (No .G2 0 0 0 0 683 0 2 );国家自然科学基金! (No .698760 0 4 )
用MBE(分子束外延 ,MolecularBeamEpitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT(异质结双极型晶体管 ,HeterojunctionBipolarTransistor) .其在液氮下的直流增益hfe(Ic/Ib)为 16 0 0 0 ,交流增益 β(ΔIc/ΔIb)为 2 6 0 0 0 ,分别...
关键词：SIGE/SI HBT 分子束外延 异质结双极晶体管 低温电子学 
SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响
《电子学报》2000年第8期63-65,共3页徐晨 沈光地 邹德恕 陈建新 李建军 罗辑 魏欢 周静 董欣 
国家"8 63"计划!(No .863 30 7 1 5 4(6) );国家自然科学基金!(No.698760 0 4 );北京市科委高技术重点项目和北京市自然科学基金!(
从模拟和实验两方面研究了SiGe/SiHBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响 .发现两界面偏离时器件性能会变差 .尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十 就足以产生相当高的电子寄生势垒 ,严重恶...
关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管 pn结界面 相对位移 
SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究
《半导体技术》2000年第4期31-35,共5页魏欢 陈建新 邹德恕 徐晨 杜金玉 韩金茹 董欣 周静 沈光地 
国家高技术研究发展计划(863计划)项目!863-307-15-4(06)
SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
关键词：异质结双极晶体管 单片微波集成电路 锗化硅 
SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射被引量：1
《半导体技术》2000年第1期36-38,共3页邹德恕 徐晨 罗辑 魏欢 董欣 周静 杜金玉 高国 陈建新 沈光地 王玉田 
国家"8 6 3";北京市自然基金资助项目
通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系
关键词：X射线 双晶衍射 外延生长 硅 锗化硅 异质结构 
低温生长SiO_2膜的性质及其在SiGe/Si HBT研制中的应用
《北京工业大学学报》1999年第4期45-48,共4页徐晨 邹德恕 陈建新 杜金玉 高国 罗辑 魏欢 赵立新 沈光地 
国家"863"计划资助!863-307-15-4(06);国家自然科学基金!69876004;北京市科委高技术重点项目;北京市自然科学基金!4962005
用磁控溅射SiO2膜作为台面SiGe／SiHBT的表面保护纯化膜和光刻掩膜．测试分析了溅射工艺对SiO2膜的性质和SiGe／SiHBT性能的影响．研究发现，较高的衬底温度（200℃）有得于改善SiO2膜的质量．用溅射SiO2方法制备的HBT的电流增益明显高...
关键词：磁控溅射 SIGE/SI HBT 低温生长 二氧化硅膜 
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