77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT  

SiGe/Si HBT with a current gain of 26000 in the temperature of 77K

作　　者：邹德恕[1] 陈建新[1] 徐晨[1] 魏欢[1] 史辰[1] 杜金玉[1] 高国[1] 邓军[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022

出　　处：《半导体技术》2001年第3期51-52,55,共3页Semiconductor Technology

基　　金：北京市自然科学基金!4962005;国家"863"计划项目!863-307-15-4(06);国家自然科学基金重大项目

摘　　要：通过优化设计ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到２６０００的高增益异质结晶体管。By optimizing the longitudinal,we have designed the SiGe/Si HBT parameter with technologies for low temperature. As a result, the SiGe/Si HBT with a current gain of 26000 in the temperature of liquid nitrogen (77K) is obtained.

关 键 词：HBT 电流增益 锗化硅 异质结晶体管 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]