SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射  

SiGe/Si Heterostructure Analysis by DCXD

作　　者：邹德恕[1] 徐晨[1] 罗辑 魏欢[1] 董欣 周静 杜金玉[1] 高国[1] 陈建新[1] 沈光地[1] 王玉田[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系,北京100022 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《半导体技术》2000年第1期36-38,共3页Semiconductor Technology

基　　金：国家"8 6 3";北京市自然基金资助项目

摘　　要：通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系The relationship between the electric characteristics of SiGe/Si HBT and lattice structure was discussed by x rey DCXD.

关 键 词：X射线 双晶衍射 外延生长 硅 锗化硅 异质结构 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]