陈琳楠

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：西安理工大学更多>>
发文主题：功率二极管存储电荷反向恢复通态压降硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
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温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期514-521,共8页马丽 谢加强 陈琳楠 高勇 
国家自然科学基金资助项目(51177133);陕西省教育厅科学研究计划项目(2013JK1105);西安理工大学博士启动金项目
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电...
关键词：功率开关二极管 硅锗/硅异质结 温度特性 
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