余凯

作品数:1被引量:3H指数:1
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供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题:SIGE/SI仿真量子效率电场分布更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《红外与激光工程》更多>>
所获基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市科委课题更多>>
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SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真被引量:3
《红外与激光工程》2016年第5期86-89,共4页廖雅香 张均营 余凯 薛春来 李传波 成步文 
国家自然科学基金(61376057;61307079;61021003;61036001);中国科学院-日本学术振兴会合作课题(GJHZ1316);北京市科委课题(Z141100003814002);北京自然科学基金(2142031)
通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采...
关键词:单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布 量子效率 仿真分析 
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