李永亮

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：半导体器件沟道半导体晶体管源区更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术交通运输工程经济管理更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《微纳电子与智能制造》《微电子学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市自然科学基金更多>>
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SiGe沟道三维器件关键集成技术研究进展
《微纳电子与智能制造》2021年第1期63-74,共12页赵飞 李永亮 王文武 
国家自然科学基金面上项目(62074160);北京市自然科学基金面上项目(4202078)资助。
随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁移率沟道导入集成、钝化及低阻接触技术的挑战及潜在解决方案。对于FinFET器件,STI last沟道导入方案更...
关键词：SIGE FINFET GAAFET 沟道导入 界面钝化 低阻接触 
SiGe材料界面钝化研究新进展
《微纳电子技术》2020年第11期939-946,共8页王瀚翔 张静 李永亮 刘文楷 
北京市科技计划资助项目(Z201100004220001)。
指出锗硅高迁移率材料与高k栅介质之间界面接触存在问题,并介绍了能够优化界面的方法,即钝化工艺。总结了目前针对锗硅材料的四种钝化工艺,即硫化处理、氮化处理、硅帽层和氧化处理。与其他三种钝化工艺相比,氧钝化工艺不仅可以得到最...
关键词：SIGE 界面钝化 硫化处理 氮化处理 硅帽层 臭氧氧化 
NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe界面的影响
《半导体技术》2019年第6期444-448,463,共6页朱轩民 张静 马雪丽 李晓婷 闫江 李永亮 王文武 
国家自然科学基金资助项目(61674003)
研究了不同条件的非原位NH_3等离子体钝化对Al_2O_3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si_(0.7)Ge_(0.3),采用双层Al_2O_3结构,第一层1 nm厚的Al_2O_3薄膜为保护层,之后使用非原位NH_3等离子体分别在...
关键词：SIGE 界面钝化 NH3等离子体 Al2O3/SiGe/Si 选择性 
先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展被引量：1
《微电子学》2009年第6期829-834,共6页李永亮 徐秋霞 
随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺,高K/双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和s杂结合两步全硅化工艺的方案,可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积-刻蚀-再淀积、双高K双金属栅的集成方案,也可实现...
关键词：高K材料 金属栅 费米能级钉扎效应 盖帽层 离子注入 功函数 
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