杨经伟

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：SIGE_HBT微波功率异质结双极晶体管镇流电阻HBT更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金北京市教委资助项目更多>>
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多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
《微电子学》2006年第5期591-594,共4页张万荣 何莉剑 谢红云 杨经伟 金冬月 肖盈 沙永萍 王扬 张蔚 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 热电耦合 
微波功率SiGe HBT的温度特性
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期231-234,共4页杨经伟 张万荣 金冬月 邱建军 高攀 
国家自然科学基金(批准号:60376033),北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301)和模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目
通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线...
关键词：SIGE HBT 温度特性 微波功率晶体管 
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