发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT设计及热分析  

Design and Thermal Analysis of SiGe HBT With Composite Structure of Segmented Emitter and Non-uniform Finger Spacing

作　　者：陈亮[1] 张万荣 金冬月[1] 谢红云[1] 胡宁[1] 肖盈[1] 王扬[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124

出　　处：《北京工业大学学报》2011年第5期697-700,共4页Journal of Beijing University of Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60776051;61006044;61006059);北京市自然科学基金资助项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京人才强教深化计划--服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京工业大学第一届博士研究生创新计划项目(bcx-2009-012)

摘　　要：为了增强多发射极指S iGe HBT的热稳定性,提出了发射极指分段与非均匀指间距组合的新型器件结构.使用有限元方法对新型结构的S iGe HBT进行热分析,得到了发射极指上的三维温度分布.结果表明,与传统的完整结构及发射极指分段和均匀指间距组合的结构相比,新型结构明显降低了最高结温,温度分布更加均匀,使有源区整体热流分布更加均匀合理,有效地提高了器件的热稳定性.A novel multi-finger power SiGe heterojunction bipolar transistor（HBT） with segmented emitter and non-uniform finger spacing structure is proposed to improve thermal stability of HBT.Thermal simulation for a ten-finger power SiGe HBT with novel structure are conducted with ANSYS software.Three-dimensional temperature distribution on emitter fingers is obtained.Compared with traditional integrity structure or segmented emitter and uniform finger spacing structure,the maximum junction temperature,temperature distribution and heat-flux distribution are significantly improved.Thermal stability is effectively enhanced.

关 键 词：异质结双极晶体管 分段结构 热模拟 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]