杨威

作品数：4被引量：9H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：INGAP/GAAS_HBTMMICGAAS_MMIC薄膜电阻无源元件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>
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发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
《电子器件》2007年第1期1-4,共4页申华军 葛霁 杨威 陈延湖 王显泰 刘新宇 吴德馨 
中国科学院重大创新项目资助"新型高频;大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-10)"
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改...
关键词：InGaP/GaAs发射极空气桥互连 热阻 镇流电阻 
GaAs MMIC用无源元件的模型被引量：8
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1872-1879,共8页申华军 陈延湖 严北平 杨威 葛霁 王显泰 刘新宇 吴德馨 
制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2...
关键词：MMIC 矩形螺旋电感 MIM电容 薄膜电阻 多项式拟合公式 
三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1604-1607,共4页杨威 刘训春 朱旻 王润梅 申华军 
中国科学院知识创新工程资助项目(批准号:KGX2-101)~~
异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击...
关键词：异质结双极型晶体管 三指发射极 自对准 
Alloy Temperature Dependence of Offset Voltage and Ohmic Contact Resistance in Thin Base InGaP/GaAs HBTs
《Journal of Semiconductors》2006年第5期765-768,共4页杨威 刘训春 朱旻 王润梅 申华军 
中国科学院知识创新工程资助项目(批准号:KGX2-101)~~
The alloy temperature dependence of Voffset and Rcontact is studied, and an optimal alloy temperature range for the best trade-off between Voffset and Rcontact, is given for thin base HBTs. In addition,the reason for ...
关键词：heterojunction bipolar transistor U-shaped emitter ALLOY offset voltage 
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