Alloy Temperature Dependence of Offset Voltage and Ohmic Contact Resistance in Thin Base InGaP/GaAs HBTs  

合金温度对薄基区InGaP/GaAs残余电压和欧姆接触的影响(英文)

作　　者：杨威[1] 刘训春[1] 朱旻[1] 王润梅[1] 申华军[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第5期765-768,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院知识创新工程资助项目(批准号:KGX2-101)~~

摘　　要：The alloy temperature dependence of Voffset and Rcontact is studied, and an optimal alloy temperature range for the best trade-off between Voffset and Rcontact, is given for thin base HBTs. In addition,the reason for the high Voffset at high alloy temperature is interpreted using Schottky clamped theory. The lower Voffset of our U-shaped emitter HBT than that of traditional strip emitter HBTs is explained.研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象.从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac/Ae的关系,并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac/Ae的原因,进一步证明了U型发射极结构的优越性.

关 键 词：heterojunction bipolar transistor U-shaped emitter ALLOY offset voltage 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]