韩钧

作品数：3被引量：5H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第1期53-55,共3页金毓铨 陶有迁 王因生 韩钧 施传贵 
根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性。测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实。提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷。
关键词：半导体器件 热特性 稳态热阻 瞬态热阻抗 
GaAs混频二极管的设计和制作
《半导体技术》2006年第10期774-777,共4页韩钧 林顺兵 
GaAs混频二极管是制作混频器的关键器件,从GaAs混频二极管的工作原理出发简述了其参数设计和典型制作工艺。介绍了GaAs混频二极管的主要性能:击穿电压VBR≥4V,零偏压结电容0.1～0.15pF,串联电阻Rs≤3Ω,整机噪声系数NF≤5.3dB。并给出了...
关键词：砷化镓 混频二极管 噪声系数 
砷化镓倍频变容管的研制
《固体电子学研究与进展》2001年第3期281-287,共7页林叶 韩钧 潘乃琦 
倍频变容管的特性直接影响变容管倍频器的性能。文中介绍倍频变容管的设计 ,并制作出了与设计结果基本一致的器件。获得了输入 8GHz、5 0 0 m W,输出 16 GHz,最高倍频效率大于5 0 %的二倍频测试结果 ,并给出了
关键词：砷化镓 变容器 倍频器 
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