云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张兴华

张兴华: 作品数：20被引量：46H指数：5; 导出分析报告; 供职机构：山东大学物理学院更多>>; 发文主题：双极晶体管晶体管结温测量结温功率晶体管更多>>; 发文领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>; 发文期刊：《电子质量》《发光学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家留学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>

The Convergence Characteristic of the Forward I-V Characteristic Curves of a Semiconductor Silicon Barrier at Different Temperatures: 《Journal of Semiconductors》2008年第4期663-667,共5页苗庆海卢烁今张兴华宗福建朱阳军; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60476039)~~; The /-V-（T） characteristic curves of p-n junctions with the forward voltage as the independent variable, the logarithm of forward current as the dependent variable, and the junction temperature as the parameter, alm...; 关键词：semiconductor barrier bandgap convergent point forward I-V characteristic curves

基于实际结温分布中小电流过趋热效应的验证: 《Journal of Semiconductors》2007年第7期1112-1116,共5页朱阳军苗庆海张兴华卢烁今; 国家自然科学基金(批准号:60476039);国家留学基金委员会资助项目~~; 对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中小电流过趋热效应存在的真实性.当结温分布不均匀时,对于通过p...; 关键词：热谱曲线电流密度过趋热性有效面积

半导体功率器件结温的实时测量和在线测量被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2007年第6期980-983,共4页朱阳军苗庆海张兴华 Yang Lieyong 卢烁今; 国家自然科学基金(No.60476039);国家留学基金委员会资助项目~~; 克服了器件在大电流测试时温度系数测不准的难题,帮助国际标准完善了实时测量和在线测量结温的方法,即在加热的同时,不改变加热状况的情况下,直接把加热电流当作测量电流,借助于校准曲线从而测量出晶体管的结温.; 关键词：实时测量结温本底数据

pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2006年第9期1595-1599,共5页苗庆海朱阳军张兴华卢烁今; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60476039)~~; 晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区...; 关键词：PN结晶体管结温电流密度结温均匀性有效面积

晶体管红外热像图的热谱分析方法被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2005年第7期1364-1368,共5页朱阳军苗庆海张兴华卢烁今; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60476039)~~; 使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出...; 关键词：晶体管热谱峰值结温红外热像图归一化面积

关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中ΔV_(BE)与I_E关系的讨论被引量：2: 《自然科学进展》2004年第8期955-960,共6页苗庆海 YuanMiao 张德骏张兴华 LieyongYang 陈凤霞 ZhiweiYang 朱阳军; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :699460 0 1 ); 指出国际电工委员会标准IEC 74 7 7的热阻部分 ,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的 ,从理论上证明了该标准中的I V T曲线与实际情况相矛盾 ,这一矛盾也被实验所证实 ;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I V ...; 关键词：晶体管热阻波形图原理图 IEC 747-7标准

微波功率晶体管的金属气密封装: 《半导体技术》2004年第5期86-88,共3页张德骏苗庆海曹红张兴华刘汝军; 国家自然科学基金资助项目(69976017); 提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装——选极F型封装技术。还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征。; 关键词：微波功率晶体管金属气密封装组态匹配选极F型封装技术技术指标功能特征

射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射被引量：14: 《发光学报》2004年第3期291-294,共4页王卿璞张德恒马洪磊张兴华张锡健; 国家自然科学基金 ( 60 0 760 0 6) ;教育部博士项目基金 ( 2 0 0 0 0 42 2 0 4)资助项目; 用射频磁控溅射法 ,在硅衬底上制备出具有良好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性 ,观察到显著的单绿光发射 (波长为 5 1 4nm)峰。在氧气中 830℃高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,绿光发射峰强度变...; 关键词：ZNO薄膜磁控溅射绿光发射

溅射法制备的ZnO薄膜的光发射被引量：2: 《山东大学学报（理学版）》2004年第2期62-65,共4页王卿璞马洪磊张兴华张锡健; 教育部博士点基金项目资助 (2 0 0 0 0 42 2 0 4); 报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜 ,在 5 14nm处观察到显著的单色绿光发射峰 ;且随着氧分压的增加 ,绿光发射峰的强度减弱 .经真空中退火该发射峰增强 ;而在氧气中退火该发射峰强度减弱 ...; 关键词：ZNO薄膜磁控溅射氧空位绿光发射

晶体管发射区归一化面积的温度谱被引量：3: 《半导体技术》2003年第12期53-56,共4页苗庆海杜文华张兴华吴洪江张德骏; 国家自然科学基金项目(69946001); 从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了...; 关键词：芯片表面红外热像图发射区热像图晶体管结温不均匀性发射区热谱红外热像峰值结温

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