金刚石衬底异质集成GaN HEMT——新一代固态微波功率器件——专访中国电科集团有限公司制造工艺领域首席科学家陈堂胜  

Heterogeneous Integration of GaN HEMT on Diamond Substrate--A New Generation of Solid⁃state Microwave Power Device

作　　者：曹敏华 CAO Minghua

机构地区：[1]不详

出　　处：《固体电子学研究与进展》2023年第4期287-288,共2页Research & Progress of SSE

摘　　要：当今半导体行业已进入后摩尔时代,单一半导体器件性能提升遇到瓶颈,器件与系统的联动发展已成为半导体技术发展的主题。摩尔定律遇到的困境不仅表现于Si CMOS器件,GaN微波功率器件从问世到现在也三十年了,其快速发展阶段也已经过去,GaN微波功率器件之后的新一代固态微波功率器件是什么器件?为探讨这个问题,本刊专访了中国电子科技集团有限公司制造工艺领域首席科学家陈堂胜。

关 键 词：微波功率器件 半导体技术 CMOS器件 半导体器件 异质集成 GaN 后摩尔时代 摩尔定律 

分 类 号：K826.16[历史地理—历史学] TN386[电子电信—物理电子学]