短沟道MOSFET

作品数：11被引量：14H指数：2
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短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型
《固体电子学研究与进展》2018年第4期251-256,共6页常红 王亚洲 柯导明 
国家自然科学基金资助项目(61376098;61076086);安徽教育厅自然科学研究重点项目(2006kj012a)
根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 源/漏寄生电阻 半解析模型 电势 
短沟道MOSFET的毫米波噪声建模
《电子技术应用》2018年第8期31-34,38,共5页彭小梅 赵爱峰 王军 
创新基金资助项目(18ycx116)
基于40 nm MOSFET的器件物理结构,建立了统一的MOSFET毫米波噪声模型,以此来表征漏极电流噪声、感应栅极电流噪声以及两者之间的互相关噪声的特性。通过将栅极过载效应引入高频噪声模型,使得统一模型具有良好的平滑性、准确性和连续性...
关键词：MOSFET 相关噪声 毫米波 四噪声参数 
短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究被引量：2
《电子科技》2009年第11期101-103,共3页郑磊 杜磊 陈文豪 
国家部委"十一五"预研基金资助项目(51312060104);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603)
针对MOSFET散粒噪声难以测量的特点,提出了一种低温散粒噪声测试方法。在屏蔽环境下,将被测器件置于低温装置内,有效抑制了外界电磁波和热噪声的干扰,采用背景噪声足够低的放大器以及偏置器、适配器等,建立低温散粒噪声测试系统。应用...
关键词：散粒噪声 扩散电流 沟道噪声 低温装置 
二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型被引量：3
《半导体技术》2009年第3期254-257,共4页李海霞 毛凌锋 
国家自然科学基金资助项目(60606016)
随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程...
关键词：深亚微米半导体器件 解析阈值电压模型 量子机制效应 
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型被引量：4
《物理学报》2006年第7期3670-3676,共7页李艳萍 徐静平 陈卫兵 许胜国 季峰 
国家自然科学基金(批准号:60376019);湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA087)资助的课题.~~
通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精...
关键词：阈值电压 量子效应 短沟道效应 高K栅介质 
短沟道MOSFET器件特性的理论研究
《大连铁道学院学报》2005年第2期56-59,共4页薛严冰 李晖 
通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.
关键词：短沟道 N沟道MOSFET 阈值电压 势垒 
短沟道SOI MOSFET栅结构研究与进展被引量：1
《微电子学》2005年第2期180-184,共5页曹寒梅 杨银堂 朱樟明 刘莉 
国家自然科学基金资助项目(90207022)
　系统比较了几种不同栅结构短沟道SOIMOSFET的性能,包括短沟道效应、电流驱动能力、器件尺寸等特性,获得了栅的数目与短沟道SOI器件的性能成正比的结论。介绍了两种新的短沟道SOI器件栅结构:Π栅和Ω栅,指出了短沟道SOIMOSFET栅结构的...
关键词：短沟道MOSFET SOI 栅结构 半导体器件 
短沟道MOSFET解析物理模型被引量：2
《电子学报》1999年第11期84-86,92,共4页杨谟华 于奇 肖兵 谢晓峰 李竞春 
国家自然科学基金!( 6 95 76 0 0 4);国防预研基金!( 96J8 1 1 DZ0 2 0 5 )
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和...
关键词：短沟道 MOSFET 解析物理模型 VLSI/ULSI 
短沟道MOSFET渡越时间物理模型
《固体电子学研究与进展》1995年第2期142-148,共7页牛国富 阮刚 
叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来...
关键词：渡越时间 速度过冲 MOSFET 沟道 物理模型 
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