云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- VLSI/ULSI

VLSI/ULSI: 作品数：12被引量：11H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：肖兵杨谟华张沈军李婉莹陈勇更多>>; 相关机构：电子科技大学北京大学北京工业大学电子工业部更多>>; 相关期刊：《电子材料（机电部）》《Journal of Semiconductors》《微处理机》《微电子学》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金美国国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>

集成电路中金属硅化物的发展与演变: 《集成电路应用》2008年第9期51-52,共2页方志军汤继跃许志; 金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-aligned silicide）工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。; 关键词：大规模集成电路金属硅化物 VLSI/ULSI 演变自对准硅化物制造工艺器件技术 CMOS

CEE-Gr:A Global Router with Performance Optimization Under Multi-Constraints: 《Journal of Semiconductors》2004年第5期508-515,共8页张凌经彤洪先龙许静宇 XiongJinjun HeLei; 国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 2 AA1Z14 60 );高校博士点基金 (批准号 :2 0 0 2 0 0 0 3 0 0 8);清华大学骨干人才支持计划(批准号:[2 0 0 2]4);国家自然科学基金(批准号:60 12 112 0 706,60 1760 16);美国自然科学基金(批准号:CCR-0 0 963 83)资助项; A global routing algorithm with performance optimization under multi constraints is proposed,which studies RLC coupling noise,timing performance,and routability simultaneously at global routing level.The algorithm is...; 关键词：VLSI/ULSI physical design global routing multi constraints performance optimization

短沟道MOSFET解析物理模型被引量：2: 《电子学报》1999年第11期84-86,92,共4页杨谟华于奇肖兵谢晓峰李竞春; 国家自然科学基金!( 6 95 76 0 0 4);国防预研基金!( 96J8 1 1 DZ0 2 0 5 ); 本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和...; 关键词：短沟道 MOSFET 解析物理模型 VLSI/ULSI

VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟: 《电子科技导报》1998年第12期19-23,共5页杨谟华方朋; 国家自然科学基金; 论述了ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性的监测与模拟领域的技术背景、研究特点、技术进展与现代监测分析技术，并进而讨论了ＶＬＳＩ可靠性工程技术发展趋势。; 关键词：VLSI/ULSI 可靠性监测模拟 BERT 寿命失效率

一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法被引量：2: 《Journal of Semiconductors》1998年第11期834-840,共7页杨晓东田立林陈文松; 本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量界面态横向分布的方法．与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引入新的蜕变、易于实现的特点，适用于研究短沟道器件的热载流子蜕变效应．用该方法对１．２μｍＬ...; 关键词：电荷泵技术界面态设计 IC VLSI/ULSI

深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取被引量：1: 《电子科技大学学报》1997年第5期487-491,共5页陈勇钟玲; 电子部预研基金; 详细分析了适用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ设计的深亚微米ＢＳＩＭ２ＭＯＳ器件模型，并在深入讨论短沟道ＭＯＳ器件物理效应的基础上，对沟道长１μｍ栅氧化层厚度２５ｎｍ的ｎＭＯＳＦＥＴ进行了测试和ＢＳＩＭ２模型参数的提取，且对结果...; 关键词：深亚微米集成电路计算机辅助设计 VLSI/ULSI

适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究被引量：1: 《微电子学》1997年第3期176-180,共5页陈勇肖兵杨漠华; 论述了深亚微米ＭＯＳ器件模型ＢＳＩＭ２。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面，以物理概念为基础进行了较详细分析，并与国内１μｍ工艺的ｎＭＯＳ测量数据进行了比较。; 关键词：MOS器件器件物理器件模型亚微米器件

VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术: 《上海微电子技术和应用》1995年第4期26-36,共11页李炳宗; 随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等...; 关键词：VLSI ULSI 集成电路多层金属互连

VLSI/ULSI制造中颇具前景的涂敷介质成膜技术被引量：5: 《微处理机》1995年第3期4-7,共4页张沈军李婉莹陶星樊崇德; 本文就目前国际上流行的两种最为主要的旋涂成膜材料－光敏聚酰亚胺和SOG的理化性能、使用特点及其国内相关技术现状与今后的发展情况加以综述。; 关键词：VLSI ULSI 集成电路制造涂敷介质成膜

VLSI／ULSI可靠性的监测与模拟: 《电子科技大学学报》1994年第2期218-222,共5页杨谟华肖兵刘诺; 论述分析了现代ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ电路可靠性监测与模拟技术的研究进展、应用趋势以及相关的新型监测分析技术，并讨论了其研究设计与发展方向。; 关键词：VLSI ULSI 可靠性监测集成电路

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