适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究  

作　　者：陈勇[1] 肖兵[1] 杨漠华 

机构地区：[1]电子科技大学微电子科学与工程系

出　　处：《微电子学》1997年第3期176-180,共5页Microelectronics

摘　　要：论述了深亚微米ＭＯＳ器件模型ＢＳＩＭ２。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面，以物理概念为基础进行了较详细分析，并与国内１μｍ工艺的ｎＭＯＳ测量数据进行了比较。

关 键 词：MOS器件 器件物理 器件模型 亚微米器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]