刘诺

作品数：13被引量：26H指数：3
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：砷化镓电子结构第一性原理布线方式HEMT更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《电子科技大学学报》《北京生物医学工程》更多>>
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基于织物电极的非接触便携式睡眠心电监测系统设计被引量：10
《北京生物医学工程》2012年第3期293-297,共5页丁鑫 金雷 刘诺 陈毅 
中国科学院创新工程试点"低成本运动健康系统"项目(0945051001)资助
目的为通过心电信号检测睡眠分区及睡眠呼吸障碍等疾病,设计一种基于织物电极的心电监测系统。方法使用医用级导电织物电极代替传统电极,可在不与人体接触的情况下实时、准确地采集生理电信号,对被测者进行长时间心电监测。使用ARM11嵌...
关键词：睡眠监测 心电图 导电织物 嵌入式系统 无线宽带 
一种用于开关电容电路的高性能运算放大器被引量：1
《微电子学》2011年第2期164-167,共4页洪帅 刘诺 熊飞 何伟雄 
设计了一种高性能BiCMOS全差分运算放大器。该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗和负载电容条件下,与传统CMOS增益增强型运算放大器相比,具有高单位增益带宽、高摆率及相位裕度改善的特...
关键词：开关电容 运算放大器 折叠式共源共栅 增益增强 BICMOS 
一种高精度CMOS带隙基准和过温保护电路被引量：1
《科协论坛（下半月）》2010年第3期70-71,共2页徐义强 刘诺 涂才根 
在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上,设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发生器。其特点是采用内部电压减小电源噪声的影响;通过两个串联的二极管提高,减小运放失调的影响。该电路基于CSMC0.35um DPTM工艺,使用Spectre仿...
关键词：带隙基准 温度补偿 电源抑制比 正温度系数电流 
基于Altera ASI IP核的ASI发送卡实现被引量：1
《微计算机信息》2009年第20期243-245,共3页芦秋雁 李文昌 刘诺 杨志明 
本文提出了一种基于Altera公司的ASIIP核来代替Cypress公司的CY7B923实现ASI信号的发送,详细阐述了ASI IP核的实现。使用FPGA编程实现ASI接口转换与发送功能,具有更大的灵活性,且接口复合DVB-ASI接口规范。文中介绍了ASI的特点与构成,...
关键词：ASI 异步FIFO FPGA 
D类功放中输入斩波运放电路的设计被引量：3
《半导体技术》2008年第6期520-523,538,共5页赵海亮 刘诺 周长胜 
浙江省引进消化吸收再创新重大项目基金(2006C14036)
基于n阱0.5μmDPDMCMOS工艺,完成了D类音频功放中输入斩波运算放大器的设计。分析了D类系统对输入运放的设计要求,在此基础上确定了电路采用两级全差分结构实现,并加入斩波结构降低噪声。采用PTAT电流源提供运放的偏置电流,补偿运放跨...
关键词：D类功放 斩波 输入运放 跨导温漂 
第一性原理研究BaTiO_3(001)表面的电子结构被引量：8
《物理学报》2008年第7期4434-4440,共7页倪建刚 刘诺 杨果来 张曦 
在密度泛函理论的基础上,采用平面波赝势方法计算了立方相BaTiO3(001)表面的电子结构.结构优化表明最表层原子都向体内弛豫,且金属原子弛豫幅度最大,同时各层层间距变化呈交错分布.对两种表面结构的总能计算发现TiO2表面稳定性比BaO表面...
关键词：第一性原理 钛酸钡 电子结构 表面能 
谐振带间隧道二极管
《微电子学》1999年第4期282-285,共4页刘诺 谢孟贤 
谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件，其突出特点在于其峰谷电流比谐振隧道二极管（属双势垒量子阱非极性器件）高。对其基本工作原理及结构进行了分析，介绍并讨论了这种结构在电路中的两项应用。
关键词：带间隧道 二极管 双势垒量子阱 负微分电阻 
谐振隧道二极管被引量：2
《微电子学》1999年第2期123-127,共5页刘诺 谢孟贤 
由于外延技术的快速发展与进步，作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件（ＲＴＤ）引起了学术界的密切关注。ＲＴＤ可使电路密度增大，速度提高，且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管。文中分析了谐振隧道二极管的工作原...
关键词：谐振隧道器件 量子耦合器件 砷化镓 
n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的DX中心
《微电子学》1998年第6期412-415,共4页刘诺 谢孟贤 
ＤＸ中心是一种由施主（Ｄ）和缺陷（Ｘ）构成的复合体，存在于ｎ型ＡｌＧａＡｓ等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体之中。对ＤＸ中心的特点及其对器件的影响进行了分析，概述了弛豫模型和混晶场模型，同时，指出了这种缺陷的新应用。
关键词：化合物半导体 DX中心 弛豫模型 混晶场模型 
Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取
《Journal of Semiconductors》1997年第7期527-530,共4页刘诺 谢孟贤 石迎春 
采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报...
关键词：反向器件 HEMT 结构参数提取 器件模型 
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