DX中心

作品数：14被引量：7H指数：1
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Al_xGa_(1-x)As:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析
《物理学报》2010年第12期8850-8855,共6页李维峰 梁迎新 金勇 魏建华 
国家自然科学基金(批准号:10604037)资助的课题~~
基于极化子和双极化子的物理图像,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了Si掺杂的AlxGa1-xAs的导带载流子浓度,计算得到的理论结果从高温到低温都与实验结果定量一致.计算证实了AlxGa1-xAs:Si中的DX中心的基态DX-是电子-晶格相互作用产...
关键词：DX中心 双极化子 冻结 
AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第z1期83-86,共4页肖细凤 康俊勇 
国家"863"计划(批准号715-010-0022);国家自然科学基金(批准号69976023);福建省自科学基金(批准号A0020001)以及教育部基金部分资助课题
在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域...
关键词：AlGaAs∶Sn 第一原理赝势法 类DX中心. 
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响被引量：1
《物理学报》2002年第2期367-371,共5页卢励吾 张砚华 徐遵图 徐仲英 王占国 J.Wang WeikunGe 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 8) ;国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83);香港科技大学HKUST6 135 97P资助的课题~~
研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ...
关键词：量子阱 快速热处理 电子发射 DX中心 激光二极管 RTA INGAAS/GAAS 半导体激光器 铟镓砷化合物 砷化镓 
AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构被引量：3
《物理学报》2002年第1期138-142,共5页肖细凤 康俊勇 
国家"8 63"计划 (批准号 :715 0 10 0 0 2 2 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 2 3);福建省自然科学基金 (批准号 :A0 0 2 0 0 0 1)资助的课题~~
采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之...
关键词：Laplace缺陷谱 俘获势垒 DX中心 AlGaAs:Sn 精细结构 深能级缺陷 锡 铝镓砷化合物 半导体 载流子 
分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第2期145-150,共6页卢励吾 张砚华 K.K.Mak Z.H.Ma J.Wang I.K.Sou Wei kun Ge 
国家自然科学基金和香港科技大学资助项目 !合同号分别为 697760 14和 HKUST612 5 /98p&&
应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类...
关键词：分子束外延 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体 类DX中心 铝掺杂 
N型合金半导体的低温电子喇曼散射
《厦门大学学报（自然科学版）》1999年第1期40-45,共6页连世阳 
研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射．根据晶格动力论，讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心的物理起因．结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中存在施主双稳态特性．在低温下，光感应的施主...
关键词：DX中心 电子喇曼散射 低温 半导体 N型 
n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的DX中心
《微电子学》1998年第6期412-415,共4页刘诺 谢孟贤 
ＤＸ中心是一种由施主（Ｄ）和缺陷（Ｘ）构成的复合体，存在于ｎ型ＡｌＧａＡｓ等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体之中。对ＤＸ中心的特点及其对器件的影响进行了分析，概述了弛豫模型和混晶场模型，同时，指出了这种缺陷的新应用。
关键词：化合物半导体 DX中心 弛豫模型 混晶场模型 
n-Ga_(1-x)Al_xAs的电子喇曼散射、束缚声子和DX中心
《厦门大学学报（自然科学版）》1997年第4期535-539,共5页连世阳 徐建 骆万发 
观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温...
关键词：电子喇曼散射 束缚声子 DX中心 镓铝砷 
GaAsP混晶中的DX中心
《物理学报》1995年第8期1256-1262,共7页张元常 黄启圣 康俊勇 吴正云 余辛 
国家自然科学基金;红外物理国家重点实验室资助的课题.
用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为 0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质...
关键词：GAASP 混晶 DX中心 
Ⅲ-Ⅴ族化合物中DX中心的新理论
《Journal of Semiconductors》1991年第8期453-460,共8页薛舫时 
本文提出了一种新的多能谷有效质量杂质电子态理论.它用导带中的Γ、X和L三个能谷的有效质量包络函数来描述杂质电子波函数,从而得出了杂质态的能谷属性.用此理论计算了GaAs_(1-x)P_x中Si施主的束缚能级和谐振能级.得到了Γ、L和Γ-L混...
关键词：化合物半导体 DX中心 理论 
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